近年来随着新能源汽车、光伏、风电、储能等行业的发展，第三代半导体碳化硅、氮化镓、氮化铝等材料因其独特的宽禁带半导体特性而越来越受到重视，应用前景广阔，市场潜力巨大。但目前这类半导体材料的大直径单晶主要依靠物理气相传输法（PVT法）制备，工艺温度往往高达2300℃以上，且单晶生长速率慢，高温工艺周期长。在此条件下，传统的石墨坩埚难以满足生产需要。碳化钽作为一种具有高耐化学腐蚀性、高抗热震性的超高温陶瓷材料，是PVT工艺的坩埚涂层理想材料。目前碳化钽涂层的制备工艺主要有CVD法、涂覆法、高温喷涂法等，各种方法各有优缺点，但目前主流工艺均为CVD法，原因在于CVD法在薄膜均匀性、致密性和结合牢固性上相较其他方法有着明显优势。以涂覆法为例，目前主要面临涂层致密化困难等问题。本文小嘉将带大家研读武汉理工大学刘纯博士2022年学位论文《碳化钽陶瓷的制备及致密化机理研究》，虽然刘纯博士的研究并未针对涂层领域，但也希望他的研究能为各位同行提供一些启发。

     刘纯博士的思路是，先合成碳化钽粉体，然后用SPS法烧结得到致密碳化钽陶瓷，并考察工艺条件和添加剂的加入对陶瓷致密性的影响。本文首先从碳化钽粉体的合成开始。