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新型SiC-HfC复合薄膜化学气相沉积技术取得重大突破
近日,国际权威期刊《Journal of Crystal Growth》发表了湖北隆中实验室与武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室等团队合作完成的最新研究成果。该研究通过系统的热力学···
2025-05-14
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碳/碳(C/C) 复合材料高温抗氧化陶瓷防护涂层的研究进展与展望
近日,《硅酸盐学报》2025年第3期刊登了南昌航空大学与国防科技大学联合团队的研究综述《C/C复合材料高温抗氧化陶瓷防护涂层的研究进展与展望》。该文章系统总结了碳/碳(C···
2025-08-29
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二氯二氧化钼(MoO₂Cl₂):半导体2nm制程背后的关键“魔法粉末”
为什么半导体工艺需要新材料? 随着芯片制程进入2nm时代(相当于头发丝的万分之一粗细),传统金属导线材料——钨(W)和铜(Cu)遇到了致命瓶颈: • 钨:沉积时会释放氟(···
2025-08-26
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行业动态|新型钼基材料助力半导体微缩化革命:高纯度钼前驱体引领ALD技术突破
【导语】随着半导体工艺向3nm以下节点迈进,传统铜互连技术因电阻率攀升与电迁移问题面临严峻挑战。全球半导体设备巨头Lam Research早前宣布推出全球首款钼(Mo)原子层沉积···
2025-08-08
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激光化学气相沉积技术成功制备高性能多孔碳化钽涂层
碳材料(如石墨和碳/碳复合材料)因其优异的高温稳定性和机械性能,被广泛应用于航空航天、能源存储等领域。然而,碳材料在370°C以上易氧化失效,超高温环境下抗侵蚀性差,···
2025-08-05
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